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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2246 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 16米x 64位江戶內存3.3V的16米x 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 32/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2246 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
31
10. Mode Register Set
Set Command
Mode Register
All Banks
Precharge
Command
Any
Command
Address Key
T0
T1
T2
T8
RSC
t
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
SPT03912
T19
T16
T15
T14
T17
T18
CAS Latency = 2
T20
T21 T22
BS0, BS1
A0-A9
A10, A11
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2776 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
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