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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2246 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 16米x 64位江戶內存3.3V的16米x 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 35/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2246 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
34
12.2 Clock Suspension During Burst Read CAS Latency = 3
CSL
DQM
Addr.
DQ
AP
BS
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank A
Read
Ax0
t
RAx
RAx
CAx
HZ
t
t
Suspend
1 Cycle
Clock
Suspend
2 Cycles
Clock
CSL
Ax1
Ax2
Clock
Suspend
3 Cycles
t
CSL
Ax3
SPT03915
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2776 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
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