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參數資料
型號： Q67100-Q3016
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 4米× 36位江戶記憶體模組
文件頁數： 20/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q3016
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
20
12.99
Package Outlines
GPX09039
22.22
±0.13
1)
1
27
54
28
0.35
+0.1
-0.05
0
1
0.1
10.16
±0.13
±0.2
11.76
±0.1
0.5
Does not include plastic or metal protrusion of 0.15 max per side
Does not include plastic protrusion of 0.25 max per side
Does not include dambar protrusion of 0.13 max per side
1)
54x
±
±
0
-
+
15
±5
15
±5
6
2.5 max
2)
3)
2)
3)
Index Marking
0.8
20.8
26x 0.8 =
0.2
M
54x
Plastic Package, P-TSOPII-54
(400 mil, 0.8 mm lead pitch)
Thin Small Outline Package, SMD
Sorts of Packing
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our
Data Book “Package Information”.
SMD = Surface Mounted Device
Dimensions in mm
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q3017 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q3018 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q3019 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q433 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q1100 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
相關代理商/技術參數
參數描述
Q67100-Q3017 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q3018 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q3019 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q433 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q518 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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