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參數資料
| 型號： | Q67100-Q3016 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 48/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3016 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
47
19.2 CAS Latency = 3
DAx4
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Write
DAx0
DAx1
DAx3
DAx2
RAx
RCD
t
RAx
CAx
DBx4
DBx0
Write
Command
Bank B
Bank B
Activate
Command
DAx6
DAx5
DAx7
Precharge
Command
Bank A
DBx2
DBx1
DBx3
CBx
RBx
RBx
WR
t
RP
t
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Write
DBx5
DBx6
DAy0
DBx7
Precharge
Command
Bank B
SPT03928
DAy1
DAy2
DAy3
WR
RAy
t
CAy
RAy
CAS
RAS
CKE
CLK
WE
CS
T2
High
CK3
t
T0
T1
T4
T3
T5
T6
T15
T7
T8
T9
T10
T11 T12
T13
T14
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T19
T17
T16
T18
T21
T20
T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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