- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361233 > Q67100-Q3016 (SIEMENS AG) 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q3016 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 35/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3016 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁當前第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
34
12.2 Clock Suspension During Burst Read CAS Latency = 3
CSL
DQM
Addr.
DQ
AP
BS
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank A
Read
Ax0
t
RAx
RAx
CAx
HZ
t
t
Suspend
1 Cycle
Clock
Suspend
2 Cycles
Clock
CSL
Ax1
Ax2
Clock
Suspend
3 Cycles
t
CSL
Ax3
SPT03915
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。