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參數資料
| 型號： | Q67100-Q3016 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 39/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3016 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
38
14. Self Refresh (Entry and Exit)
BS
t
Self Refresh Exit
Command issued
Addr.
DQM
DQ
AP
Entry
Self Refresh
must be idle
All Banks
Hi-Z
~
~
~
~
~
~
~
SPT03919
Exit Command
Begin Self Refresh
SREX
t
RC
Self Refresh
Exit
Command
Any
T7
CS
CAS
WE
RAS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
t
CKS
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T6
T5
T16
CKS
t
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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