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參數資料
| 型號： | Q67100-Q3016 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 31/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3016 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
30
9.2 AC Parameters for a Read Timing
AC2
t
LZ
Hi-Z
DQ
Activate
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Bank A
Command
DQM
Addr.
AP
t
RCD
t
t
AS
RAx
RAx
t
AH
CAx
RRD
t
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank B
Ax1
Ax0
Bx0
Activate
Command
Bank A
SPT03911
Bx1
t
AC2
OH
t
HZ
t
t
RAS
RC
t
RBx
RBx
RBx
HZ
t
RAy
RAy
T5
t
t
BS
WE
CAS
RAS
t
CS
CKE
CKS
t
CH
t
t
CS
CH
CL
CK2
CLK
T0
T1
T2
T3
T4
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
t
CKH
Burst Length = 2, CAS Latency = 2
T6
T7
T8
T10
T9
T11
T13
T12
RP
t
Precharge
Command
Bank A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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