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APTGL90H120T3G

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    APTGL90H120T3G

    APTGL90H120T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTGL90H120T3G
    APTGL90H120T3G

    APTGL90H120T3G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

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  • 1
APTGL90H120T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL90H120T3G 技術參數
  • APTGL90DSK120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.25V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGL90DH120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGL90DDA120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.25V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGL90DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.25V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGL90A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.25V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ200H120G APTGLQ200H65G APTGLQ200HR120G APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G
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