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參數(shù)資料
| 型號： | S29CL032J0RFFN130 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 48 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 54/78頁 |
| 文件大小： | 1825K |
| 代理商： | S29CL032J0RFFN130 |
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56
S29CD-J & S29CL-J Flash Family
S29CD-J_CL-J_00_B1 September27,2006
Prel imi n ary
18.2 Asynchronous Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 16.1 and Table 17.1 for test specifications.
3. TOE during Read Array.
Figure 18.2 Conventional Read Operations Timings
Table 18.2 Asynchronous Read Operations
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
Unit
JEDEC Std.
75MHz
0R
66MHz
0P
56MHz
0M
40MHz
0J
tAVAV
tRC Read Cycle Time (Note 1)
Min
48545454
ns
tAVQV tACC Address to Output Delay
CE# = VIL
OE# = VIL
Max
48545454
ns
tELQV
tCE Chip Enable to Output Delay
OE# = VIL Max
52545454
ns
tGLQV
tOE Output Enable to Output Delay
Max
20
ns
tEHQZ
tDF
Chip Enable to Output High Z
Max
10
ns
Min
2
ns
Max
10
ns
Read
Min
0
ns
Toggle and Data# Polling
Min
10
ns
tAXQX tOH
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#, Whichever Occurs
First (Note 1)
Min
2
ns
tCE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
High Z
Output Valid
High Z
Addresses Stable
tRC
tACC
tOEH
tOE
0 V
RY/BY#
RESET#
tDF
tOH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S29GL032A10TAIR10 | 64 MEGABIT 32MEGABIT 3.0 BOLT ONLY PAGE MODE FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S29GL016A100BAI010 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL016A100BAI012 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL016A100BAI013 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL016A100BAIR10 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology |
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