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DFE201612C

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DFE201612C 技術參數
  • DFE201610R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 26 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.8A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):26 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201610R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 168 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):168 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201610R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):110 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201610R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):70 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201610P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):48 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201612R-H-1R5M=P2 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2
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