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參數(shù)資料
| 型號： | 70V659S15DR |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP208 |
| 封裝： | 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 |
| 文件頁數(shù)： | 2/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 316K |
| 代理商： | 70V659S15DR |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
AC Test Conditions (VDDQ - 3.3V/2.5V)
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V / GND to 2.5V
2ns Max.
1.5V/1.25V
Figures 1 and 2
4869 tbl 11
1.5V/1.25
50
50
4869 drw 03
10pF
(Tester)
DATAOUT
,
4869 drw 04
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
,
833
5pF*
770
2.5V
DATAOUT
,
-1
1
2
3
4
5
6
7
20.5
30
50
80
100
200
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
Capacitance (pF)
tAA
(Typical, ns)
4869 drw 05
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 7P12FLV552I25 | 6M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 70V7319S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:256-LBGA 供應商器件封裝:256-CABGA（17x17） 標準包裝:1,000 |
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