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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 70V659S15DR |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP208 |
| 封裝： | 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 |
| 文件頁數(shù)： | 21/24頁 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | 70V659S15DR |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Pin Names
NOTES:
1. VDD, OPTX, and VDDQX must be set to appropriate operating levels prior to
applying inputs on I/OX.
2. OPTX selects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.
If OPTX is set to VIH (3.3V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V
levels and VDDQX must be supplied at 3.3V. If OPTX is set to VIL (0V), then that
port's I/Os and controls will operate at 2.5V levels and VDDQX must be supplied
at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can operate
at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate at 3.3V
with the other at 2.5V.
3. Addresses A16x is a NC for IDT70V658. Also, Addresses A16x and A15x are
NC's for IDT70V657.
4. BUSY is an input as a slave (M/S = VIL).
Left Port
Right Port
Names
CE0L,
CE1L
CE0R,
CE1R
Chip Enables - (Input)
R/WL
R/WR
Read/Write Enable - (Input)
OEL
OER
Output Enable - (Input)
A0L - A16L(3)
A0R - A16R(3)
Address - (Input)
I/O0L - I/O35L
I/O0R - I/O35R
Data Input/Output
SEML
SEMR
Semaphore Enable - (Input)
INTL
INTR
Interrupt Flag - (Output)
BUSYL
BUSYR
Busy Flag - (Output)(4)
BE0L
- BE3L
BE0R
- BE3R
Byte Enables (9-bit bytes) - (Input)
VDDQL
VDDQR
Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V) - (Input)(1)
OPTL
OPTR
Option for selecting VDDQX - (Input)(1,2)
M/S
Master or Slave Select - (Input)
VDD
Power (3.3V) - (Input)(1)
VSS
Ground (0V) - (Input)
TDI
Test Data Input
TDO
Test Data Output
TCK
Test Logic Clock (10MHz)
TMS
Test Mode Select
TRST
Reset (Initialize TAP Controller)
4869 tbl 01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 70V7319S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:256-CABGA（17x17） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| 70V7319S133BF | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:IDT 存儲(chǔ)容量: 組織: 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作電流: 最大工作溫度: 最小工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| 70V7319S133BF8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 15NS/4.2NS 208FBGA - Tape and Reel |
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