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參數資料
| 型號： | 70V659S15DR |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP208 |
| 封裝： | 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 |
| 文件頁數： | 6/24頁 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | 70V659S15DR |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
14
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side(1)
NOTES:
1. DOR = DOL = VIL, CEL = CER = VIH. Refer to Truth Table II for appropriate BE controls.
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite from port "A".
3. This parameter is measured from R/W"A" or SEM"A" going HIGH to R/W"B" or SEM"B" going HIGH.
4. If tSPS is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention(1,3,4)
NOTES:
1. CE = VIH for the duration of the above timing (both write and read cycle) (Refer to Chip Enable Truth Table). Refer also to Truth Table II for appropriate BE controls.
2. "DATAOUT VALID" represents all I/O's (I/O0 - I/O35) equal to the semaphore value.
SEM/BEn(1)
4869 drw 10
tAW
tEW
I/O
VALID ADDRESS
tSAA
R/
W
tWR
tOH
tACE
VALID ADDRESS
DATA
VALID
IN
DATAOUT
tDW
tWP
tDH
tAS
tSWRD
tAOE
Read Cycle
Write Cycle
A0-A2
OE
VALID(2)
tSOP
SEM"A"
4869 drw 11
tSPS
MATCH
R/
W"A"
MATCH
A0"A"-A2"A"
SIDE
"A"
(2)
SEM"B"
R/
W"B"
A0"B"-A2"B"
SIDE
"B"
(2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 7P12FLV281C15 | 6M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68 |
| 7P12FLV512C25 | 6M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68 |
| 7P12FLV552I25 | 6M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 250 ns, XMA68 |
| 7P12FLV572I15 | 6M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 70V7319S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯 電壓 - 電源:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:256-LBGA 供應商器件封裝:256-CABGA（17x17） 標準包裝:1,000 |
| 70V7319S133BF | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:IDT 存儲容量: 組織: 訪問時間: 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作電流: 最大工作溫度: 最小工作溫度: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| 70V7319S133BF8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 15NS/4.2NS 208FBGA - Tape and Reel |
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