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APTGL90DH120T3

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGL90DH120T3
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
E73X40-32L
25+
-
國產品牌，替代進口

APTGL90DH120T3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGL90DH120T3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

1/1頁 40條/頁共10條
1

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APTGL90DH120T3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGL90DH120T3 技術參數

APTGL90DDA120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙路升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGL90DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGL90A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGL700U120D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 910A 3000W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:910A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:4mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:37.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應商器件封裝:D4 標準包裝:1 APTGL700SK120D3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:37.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGLQ150A120TG APTGLQ150H120G APTGLQ200A120T3AG APTGLQ200H120G APTGLQ200H65G APTGLQ200HR120G APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G