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CSD25211W1015

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25211W1015
    CSD25211W1015

    CSD25211W1015

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD25211W1015
    CSD25211W1015

    CSD25211W1015

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD25211W1015
    CSD25211W1015

    CSD25211W1015

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 5490

  • TI

  • 新年份

  • BGA-6

  • -
  • 自己現貨特價

  • CSD25211W1015
    CSD25211W1015

    CSD25211W1015

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 8020

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • CSD25211W1015
    CSD25211W1015

    CSD25211W1015

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 3000

  • TI

  • DSBGA

  • 1301+

  • -
  • 原廠特價貨源

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
CSD25211W1015 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD25211W1015 技術參數
  • CSD25202W15T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1010pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD25202W15 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1010pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD25201W15 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD2475 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck 制造商:crydom co. 系列:CS 包裝:散裝 零件狀態:過期 電路:SPST-NO(1 A 形) 輸出類型:AC,過零 導通電阻(最大值):- 負載電流:75A 電壓 - 輸入:3.5 ~ 15VDC 電壓 - 負載:24 ~ 280 V 安裝類型:底座安裝或面板安裝 端子類型:螺絲端子 封裝/外殼:Hockey Puck 供應商器件封裝:- 繼電器類型:繼電器 標準包裝:10 CSD2450 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck 制造商:crydom co. 系列:CS 包裝:散裝 零件狀態:過期 電路:SPST-NO(1 A 形) 輸出類型:AC,過零 導通電阻(最大值):- 負載電流:50A 電壓 - 輸入:3.5 ~ 15VDC 電壓 - 負載:24 ~ 280 V 安裝類型:底座安裝或面板安裝 端子類型:螺絲端子 封裝/外殼:Hockey Puck 供應商器件封裝:- 繼電器類型:繼電器 標準包裝:10 CSD25404Q3 CSD25404Q3T CSD25480F3 CSD25480F3T CSD25481F4 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410
配單專家

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