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參數資料
| 型號： | MC68HC916X1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | 16-Bit Modular Microcontroller(16位模塊化微控制器) |
| 中文描述： | 16位微控制器模塊（16位模塊化微控制器） |
| 文件頁數： | 168/172頁 |
| 文件大小： | 1035K |
| 代理商： | MC68HC916X1 |
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MOTOROLA
168
MC68HC916X1
MC68HC916X1TS/D
1. V
FPE
must not be raised to programming voltage while V
DD
is below specified minimum value. V
FPE
must not be reduced below minimum specified value while V
DD
is applied.
2. Current parameters apply to each individual EEPROM module.
3. Without margin.
4. At 100% margin, the number of margin pulses required is the same as the number of pulses used to
program the byte or word.
5. Parameter measured from end of write cycle that clears STOP bit in FEEMCR.
1. Number of program-erase cycles (1 to 0, 0 to 1) per bit.
2. Parameter based on accelerated-life testing with standard test pattern.
Table 86 BEFLASH/Flash EEPROM Module Specifications
Num
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
1
Program/Erase Supply Voltage
1
Read Operation
Program/Erase/Verify Operation
Program/Erase Supply Current
2
Read Operation
Program/Erase/Verify Operation
Verify (ENPE = 0)
Program Byte (ENPE = 1)
Program Word (ENPE = 1)
Erase (ENPE = 1)
V
FPE
V
DD
– 0.5
11.4
5.5
12.6
V
2
I
FPE
—
—
—
—
—
15
50
15
30
4
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
3
Program Recovery Time
t
pr
—
3
cycles
4
Program Pulse Width
Number of Program Pulses
3
Program Margin
4
pw
pp
n
pp
p
m
20
25
μ
A
5
—
50
—
6
100
—
%
7
Number of Erase Pulses
3
n
ep
—
5
—
8
Erase Pulse Time
t
epk
t
ei
e
m
—
t
ei
×
k
ms
9
Amount to Increment t
ep
Erase Margin
90
110
ms
10
—
n
ep
Σ
t
ei
×
k
k = 1
ms
11
Erase Recovery Time
Low-Power Stop Recovery Time
5
t
er
t
sb
1
—
ms
12
1
—
μ
A
Table 87 BEFLASH/Flash EEPROM Module Life
Num
1
2
Parameter
Symbol
e
pe
r
d
Value
100
10
Unit
cyc
yr
Program-Erase Endurance
1
Data Retention
2
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PDF描述 |
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