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參數資料
| 型號： | UJA1061 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Low speed CAN/LIN system basis chip |
| 中文描述： | 低高速CAN / LIN系統基礎芯片 |
| 文件頁數： | 58/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | UJA1061 |
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2004 Mar 22
58
Philips Semiconductors
Objective specification
Low speed CAN/LIN system basis chip
UJA1061
7
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134); all voltages are referenced to GND.
LIMITING VALUES
Notes
1.
In accordance with IEC 60747-1. An alternative definition of virtual junction temperature T
vj
is:
T
vj
= T
amb
+ P
d
×
R
th(vj-amb)
, where R
th(vj-amb)
is a fixed value to be used for the calculation of T
vj
. The rating for T
vj
limits the allowable combinations of power dissipation (P
d
) and ambient temperature (T
amb
).
Human Body Model (HBM): C = 100 pF; R = 1.5 k
.
Machine Model (MM): C = 200 pF; L = 0.75
μ
H; R = 10
.
2.
3.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
0.3
0.3
0.3
MAX.
UNIT
V
BAT42
42 V supply voltage
+60
+60
+33
+50
V
V1
+ 0.3
V
V
V
V
V
load dump; t
≤
500 ms
V
BAT14
14 V supply voltage
load dump; t
≤
500 ms
V
TXDC
, V
RXDC
,
V
TXDL
, V
RXDL
,
V
RSTN
, V
INTN
,
V
SDO
, V
SDI
,
V
SCK
, V
SCS
,
V
EN
V
INH
, V
WAKE
,
V
V3
, V
SYSINH
V
CANL
, V
CANH
,
V
LIN
V
trt
DC voltages on pins TXDC,
RXDC, TXDL, RXDL, RSTN,
INTN, SDO, SDI, SCK, SCS and
EN
DC voltage at pins INH, WAKE,
V3 and SYSINH
DC voltage at pins CANL, CANH
and LIN
transient voltage at pins CANL,
CANH and LIN (ISO6737)
DC voltage at pins RTH, RTL and
RTLIN
DC voltage at pins V1 and V2
DC voltage at pin SENSE
DC voltage at pin TEST
storage temperature
ambient temperature
virtual junction temperature
electrostatic discharge voltage
0.3
V
BAT42
+ 0.3 V
60
+60
V
tested with a special application
150
+100
V
V
RTH
, V
RTL
,
V
RTLIN
V
V1
, V
V2
V
SENSE
V
TEST
T
stg
T
amb
T
vj
V
esd
60
V
BAT42
+ 1.2 V
0.3
0.3
0.3
55
40
40
+5.5
V
BAT42
+ 1.2 V
12
+150
+125
+150
V
V
°
C
°
C
°
C
note 1
HBM; note 2
at pins CANH, CANL, RTH,
RTL, LIN, RTLIN, WAKE,
BAT14, BAT42, V3, SENSE
at any other pin
MM; note 3; at any pin
8.0
+8.0
kV
2.0
200
+2.0
+200
kV
V
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